Like 0绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是一种三端功率半导体器件，主要构成电子开关。 它的开发旨在将高效率与快速切换相结合。 它由四个交替层 (P–N–P–N) 组成，这些层由金属氧化物半导体 (MOS) 栅极结构控制。 IGBT的结构虽然在拓扑上类似于带“MOS”门极的晶闸管（MOS-gate thyristor），但晶闸管动作被完全抑制，在整个器件工作范围内只允许晶体管动作。 它用于大功率应用中的开关电源：变频驱动器、不间断电源系统、电动汽车、火车、变速冰箱、电灯镇流器、弧焊机、电磁炉和空调。
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